图片仅供参考,产品以实物为准

厂商型号

NJVMJD45H11RLG 

产品描述

Transistors Bipolar - BJT BIP PNP 8A 80V TR

内部编号

277-NJVMJD45H11RLG

生产厂商

ON Semiconductor

onsemi

#1

数量:0
最小起订量:1
美国加州
当天发货,5-8个工作日送达.
立即询价

订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税

NJVMJD45H11RLG产品详细规格

规格书 NJVMJD45H11RLG datasheet 规格书
MJD4xH11,NJVMJD4xH11
NJVMJD45H11RLG datasheet 规格书
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 1,800
晶体管类型 PNP
- 集电极电流(Ic)(最大) 8A
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 80V
Vce饱和(最大)@ IB,IC 1V @ 400mA, 8A
电流 - 集电极截止(最大) -
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE 40 @ 4A, 1V
功率 - 最大 1.75W
频率转换 90MHz
安装类型 Surface Mount
包/盒 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供应商器件封装 DPAK-3
包装材料 Tape & Reel (TR)
集电极最大直流电流 8
最小直流电流增益 60@2A@1V|40@4A@1V
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 150
标准包装名称 DPAK
最低工作温度 -55
最大基地发射极电压 5
Maximum Transition Frequency 85(Typ)
封装 Tape and Reel
每个芯片的元件数 1
最大功率耗散 1750
供应商封装形式 DPAK
筛选等级 Automotive
最大集电极发射极电压 80
类型 NPN
引脚数 3
铅形状 Gull-wing
电流 - 集电极( Ic)(最大) 8A
晶体管类型 PNP
安装类型 Surface Mount
频率 - 转换 90MHz
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 1V @ 400mA, 8A
电流 - 集电极截止(最大) 1µA
标准包装 1,800
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 80V
供应商设备封装 DPAK-3
功率 - 最大 1.75W
封装/外壳 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 40 @ 4A, 1V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
工厂包装数量 1800
晶体管极性 PNP
系列 MJD45H11
品牌 ON Semiconductor
RoHS RoHS Compliant

NJVMJD45H11RLG系列产品

NJVMJD45H11RLG相关搜索

订购NJVMJD45H11RLG.产品描述:Transistors Bipolar - BJT BIP PNP 8A 80V TR. 生产商: ON Semiconductor.芯天下有低价

咨询QQ

综合类:

热线电话

  • 北京
  • 010-82138869
    010-62165661
    010-62110889
    010-62153988
    010-57196138
    010-82149921
    010-56429923
    010-82149028
    010-56429953
    010-82149008
    010-62155488
    010-62178861
    010-82149488
    010-82149466
  • 深圳
  • 0755-83247615
    0755-83975736
    0755-83997440
    0755-82511472
  • 苏州
  • 0512-67687578
    0512-67483580
    0512-67684200
    0512-67683728
    0512-68796728
  • 传真
  • 010-62178897;  0755-83995470;
  • 邮件: rfq@oneic.com