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规格书 |
MJD4xH11,NJVMJD4xH11 |
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 | 1,800 |
晶体管类型 | PNP |
- 集电极电流(Ic)(最大) | 8A |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 80V |
Vce饱和(最大)@ IB,IC | 1V @ 400mA, 8A |
电流 - 集电极截止(最大) | - |
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE | 40 @ 4A, 1V |
功率 - 最大 | 1.75W |
频率转换 | 90MHz |
安装类型 | Surface Mount |
包/盒 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
供应商器件封装 | DPAK-3 |
包装材料 | Tape & Reel (TR) |
集电极最大直流电流 | 8 |
最小直流电流增益 | 60@2A@1V|40@4A@1V |
欧盟RoHS指令 | Compliant |
最高工作温度 | 150 |
标准包装名称 | DPAK |
最低工作温度 | -55 |
最大基地发射极电压 | 5 |
Maximum Transition Frequency | 85(Typ) |
封装 | Tape and Reel |
每个芯片的元件数 | 1 |
最大功率耗散 | 1750 |
供应商封装形式 | DPAK |
筛选等级 | Automotive |
最大集电极发射极电压 | 80 |
类型 | NPN |
引脚数 | 3 |
铅形状 | Gull-wing |
电流 - 集电极( Ic)(最大) | 8A |
晶体管类型 | PNP |
安装类型 | Surface Mount |
频率 - 转换 | 90MHz |
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 | 1V @ 400mA, 8A |
电流 - 集电极截止(最大) | 1µA |
标准包装 | 1,800 |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 80V |
供应商设备封装 | DPAK-3 |
功率 - 最大 | 1.75W |
封装/外壳 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 | 40 @ 4A, 1V |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
工厂包装数量 | 1800 |
晶体管极性 | PNP |
系列 | MJD45H11 |
品牌 | ON Semiconductor |
RoHS | RoHS Compliant |
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